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CREE的CGHV96130F是無定形碳硅(SiC)板材上的氮化鎵(GaN)高移遷率氯化鈉晶體管(HEMT)與另外技術工藝相較于，CGHV96130F外部認知(IM)FET含有出眾的馬力擴展高效率。與砷化鎵相對來說，GaN具好些的性能指標；也包括最高的穿透場強；最高的飽合自動化漂移強度和最高的熱導率。與GaAs多晶體管比起來，GaN HEMT還都具有更大的耗油率密度計算和更寬的資源帶寬。CGHV96130F用復合/瓷磚蝶閥法蘭封裝應該構建最適的電氣成套和熱平穩性。

特征描述

166WPOUT（關鍵值）

7.5dB最大功率增益控制值

42%一般PAE

50Ω內自適應

<0.3dB電機功率驟降

成品年紀

文章的話：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；大部分應用在X股票波段預警雷達軟件應用的插入/輸入配適GaNHEMT

世界上最大頻繁(MHz)：8400

較大 次數(MHz)：9600

更高值讀取額定功率(W)：130

熱效率（％）：42

電機額定功率相電壓(V)：40