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?CGHV35150 S中波段最大功率放縮器CREE

更新時光:2023-10-16 16:55:53     瀏覽網頁:974

Wolfspeed的CGHV35150是款特備規劃的高效能率氮化鎵(GaN)高電子設備變更率結晶體管(HEMT);高增加收益和網絡光纖寬帶網絡耐腐蝕性;這也讓 CGHV35150獨特適宜2.9–3.5GHzS波長雷達探測調大器用途。CGHV35150所采用衛浴陶瓷/五金活套法蘭和藥丸式封裝類型。

特色

額定負載存儲容量=150W@TCASE=85°C

頻繁 的范圍=2.9–3.5GHz

瞬態100ms–300ms@20%占空比

13.5dB工作電壓增益值值@TCASE=85°C

TCASE=85°C時非常典型漏級生產率為50%

輸人兼容

<0.3dB電磁波幅降底

應用各個領域

S光波統計調小器

CREE(科銳)申請加入于1987年,CREE科銳符合30十多年的寬帶網GAP原原料采購料和轉型升級產品,CREE科銳就是個全部的設計的概念協議好朋友,按照頻射的業務需求,CREE科銳為行行業內技藝世界領先的設配設配提供數據更強的公率和更低的功能鍵消耗。CREE科銳由最就開始的GaN基面材料LED類設備的技術先進全天下,到微波加熱微波射頻與毫米左右波集成塊類設備,CREE科銳于2017年分離出紅外光微波射頻公司Wolfspeed,以帶寬、大工作電壓放縮器的產品為自己的特色。

東莞市立維創展自動化是CREE的代理商商,得到CREE紅外光元器件強勢交貨分銷渠道,并常期庫存量現貨平臺,僅作中國大專業市場需求分析。

詳情頁熟知 CREErf射頻微波加熱請點擊事件://www.yhme.cn/brand/35.html

CREE (15).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV35150P

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV35150F-AMP

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%


Evaluation Board

Flange

CGHV35150F

GaN on SiC

2.9 GHz

3.5 GHz

150 W

13.5 dB

50%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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