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?GTVA101K4 L中波段電率調大器CREE

推出的時間:2023-09-13 16:58:47     搜素:1362

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。

特點

放入支持

一般的脈沖發生器間隔波安全性能;960–1215MHz;50V;單面;128μs輸入脈沖屏幕寬度匹配;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的效果額定功率;做工作勞動效率=68%;增益值值=17dB

無鉛并滿意RoHS準則

操作范圍

預警雷達放小器

CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳必備30多年以來的移動寬帶GAP原的材料料和的創新企業產品,CREE科銳有的是個完整的的方案協作盟友,滿足微波射頻的供需,CREE科銳為行業界工藝領跑的機子裝置展示更強的工率和更低的性能消耗。CREE科銳由最已經開始的GaN基面材料LED新產品的技能領跑全中國,到微波微波射頻微波射頻與公分波集成電路芯片新產品的,CREE科銳于2017年轉移出微波通信微波射頻廠家Wolfspeed,以寬帶網、大工率圖像放大器電路貨品為杭州特色。

杭州市立維創展科學是CREE的銷售商,享有CREE紅外光功率器件的優勢供貨期途徑,并長久存儲現貨交易,以期全國股票市場需求量。

淘寶手機端了解到CREE頻射微波射頻請打開網頁://www.yhme.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

LTN/GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

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