發布信息周期:2023-06-08 16:49:38 手機瀏覽:1278
CREE雷達放大器GTVA126001EC和GTVA126001FC是600瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于1200至1400MHz頻率段。GTVA12600具備輸入適配性能;高效化;和熱強化包。
結構特征
發送適用
比較普遍的單電脈沖CW性能方面(AB類);1200MHz;50伏;300μs電磁速度;10%pwm占空比;傷害輸出(P3dB)=600W;吸引客源高效率=65%;增益值值=18dB
是可以在單輸入脈沖學習環境時以600W輸入輸出功效載重10:1電流失諧(一切相位差):300μs智能概率;10%pwm占空比;VDD=50V;IDQ=100mA
男模特仿真模型1C類(只能根據AnSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并達到RoHS細則設定
廣泛應用
統計增加器
CREE(科銳)揭牌于1987年,CREE科銳必備條件30余年的寬帶網絡GAP原料料和研發軟件,CREE科銳一個詳細的設計的配合伴侶,滿足頻射的需要,CREE科銳為行在業內高技術精英型的系統裝置可以提供更強的輸出和更低的技能消耗。CREE科銳由最剛開始的GaN材料LED產品的工藝智領全環境,到微波通信微波射頻與毫米(mm)波集成ic產品的,CREE科銳于2017年脫離出微波通信rf射頻的品牌Wolfspeed,以帶寬、大公率縮放器類產品為特色文化。
杭州市立維創展科學技術是CREE的經售商,開發CREE微波通信元器特色供貨周期分銷渠道,并經常庫存商品期貨,以備不時之需中國有專業市場使用需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA126001FC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA126001EC-V1 | GaN on SiC | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 600 W | 20 dB | 63% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |