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?SemiGen肖特基電感

披露日子：2023-05-29 17:00:04     瀏覽網頁：1214

SemiGen的硅肖特基場效應管強院于40GHz三歲技木工藝的使用需要設計策劃方案。特俗凈化處理技木工藝使用繁多金屬質板材策劃方案為低、中合高隔絕技木工藝使用出示功能的優勢。決定的結果是具備有標準把控電感的低阻值整流二極管，也能體現最底使用率。SemiGen肖特基整流二極管低交流電耗損和成績突出的TSS因而使電感加入了上班頻段從S波長到Kak線的遙測器/混頻器技術軟件應用軟件應用名詞解釋解調器、低電功率束縛器和高速路度旋轉開關的極佳選取。

的特點：

多結凈化處理IC芯片

低1/F燥聲

工作小結電感

用：

適用性于混頻器、測探器、倍頻器達成和解調器。

SemiGen是國外一所晶圓級rf射頻集成電路芯片戰斗力派生產商，從晶圓到裝封集成電路芯片, 品種充足，從核工業級MIL-PRF 38534到軍工用MIL-PRF 19500、750和883，SemiGen堅持創新驅動于展示 好的性能和靠譜性。

廣州市立維創展高新科技受限我司，授權文件代理商于我國部位銷售額SemiGen車輛，并打造售前服務培訓和售后客服高技術幫助服務培訓。

具體詳情掌握SemiGen請鼠標單擊：//www.yhme.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

0.250

0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

0.14

20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

4.0

0.250

0.20

20.0

-55

SLB113

4.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

0.15

0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SMB200

3.0

0.400

0.14

20.0

-52

SMB201

3.0

0.400

0.20

20.0

-50

SMB202

3.0

0.400

0.12

20.0

-48

SMB203

3.0

0.400

0.14

20.0

-45

SMB204

4.0

0.425

0.15

20.0

-52

SMB205

4.0

0.425

0.15

20.0

-50

SMB206

4.0

0.425

0.12

20.0

-48

SMB207

4.0

0.425

0.14

20.0

-45

SMB208

4.0

0.450

0.14

20.0

-52

SMB209

4.0

0.450

0.15

20.0

-50

SMB210

5.0

0.450

0.14

20.0

-48

SMB211

5.0

0.450

0.25

20.0

-45

SMB212

5.0

0.475

0.21

20.0

-52

SMB213

5.0

0.475

0.15

20.0

-50

SMB214

5.0

0.475

0.12

20.0

-48

SMB215

5.0

0.475

0.15

20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

-52

SHB301

5.0

0.500

0.20

25.0

-50

SHB302

5.0

0.500

0.12

25.0

-48

SHB303

5.0

0.500

0.14

25.0

-45

SHB304

5.0

0.525

0.15

25

-52

SHB305

5.0

0.525

0.15

25.0

-50

SHB306

5.0

0.525

0.12

25.0

-48

SHB307

5.0

0.525

0.14

25.0

-45

SHB308

6.0

0.550

0.14

25.0

-52

SHB309

6.0

0.550

0.15

25.0

-50

SHB310

6.0

0.550

0.14

25.0

-48

SHB311

6.0

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25.0

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SHB312

6.0

0.600

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25.0

-48

SHB313

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0.600

0.15

25.0

-45

SHB314

6.0

0.600

0.12

25.0

-42

SHB315

6.0

0.600

0.15

25.0

-40


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