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CREE的GTVA104001FA是款400瓦GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)，適用于960至1215MHz頻率段。GTVA104001FA-V1具備輸入適配性能；高效率;及其具有無耳法蘭盤的熱高性能表面貼裝封裝。

表現

GaN on SiC HEMT系統行業應用

寬帶網絡外部導入兼容性測試

常見的的單智能CW性能方面；960–1215MHz；50V

打出工作效率=410W

引流法吸收率=70%

增加收益值=19dB

電脈沖頻繁=128ms

pwm占空比=10%

無鉛并達到RoHS標準單位的規定

技術應用

Lk線雷達探測放小器

CREE（科銳）建成于1987年，CREE科銳必備條件30許多年的聯通寬帶GAP原資料料和革新食品，CREE科銳是一個個詳盡的的設計合作共贏好伙伴，適用頻射的需要量，CREE科銳為行同行業技木技術領先的機器人系統帶來了更強的工作效率和更低的功用不足。CREE科銳由最慢慢的GaN材料的特性LED的產品工藝頂尖全中國，到微波加熱微波射頻與公厘波集成電路芯片的產品，CREE科銳于2017年破乳出微波微波射頻微波射頻企業Wolfspeed，以移動寬帶、大電率放縮器設備為優勢。

杭州市立維創展新材料技術是CREE的經售商，擁有著CREE微波射頻元器件封裝勝機供應商推廣渠道，并長時庫存商品現貨平臺，以供中銷售市場使用需求。

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