上架周期:2023-03-16 16:42:49 查詢:1306
RF-LAMBDA氮化鎵晶圓通常是在外界基板(例如藍寶石)上外延生長的單晶GaN薄層層析,一般板厚小于100μm。與獨立式GaN基板相比較,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓僅是元器件生產商中的一種替代解決方案,其技術優勢受限。然而,在高容量和低成本生產制造的前提下,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓能夠在LED生產中替代藍寶石,從而提升下游MOCVD反應裝置高至50%的產能。此外,RF-LAMBDA氮化鎵晶圓一般比在藍寶石上生長的MOCVD GaN具備較低的位錯密度。這對于UV元器件來說是個有利因素,因為它比藍色LED對位錯密度更加敏感。
蘇州市立維創展科技公司是RF-LAMBDA的供應商商, RF-LAMBDA的的產品涉及:無源操作控制模塊電源,有源操作控制模塊電源,移動寬帶工作效率調小器,窄帶PA和能夠變小器,服務出產線均跟據美利堅軍工用設計的標準的與出產制作,計劃經濟體制普遍采取于航天工程建筑,航空公司,軍工用環保設備,衛星影像電力,汽車雷達等舒適工程建筑工作。
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氮化鎵業務類型 | 微信小程序模板行 | 基本材料長度 | 的厚度 (μm) | Marcodefect 體積密度 | 電阻值率 (Ω·cm) | 它的厚度偏離 (±μm) | |
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GT.050.02.NB3 | 氮化鎵文檔模板 | 添加 (N+) | 3" | 50 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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GT.100.10.NB3 | 氮化鎵文檔模板 | 摻入 (N+) | 3" | 100 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 2.50 |
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GT.100.10.UD.B.4 | 氮化鎵模板開發 | 未夾雜著 (N-) | 4" | 100 | <10/cm2 | 0.5 | 2.50 |
RFGB.CP.NB10 | 一塊塊氮化鎵 | 夾雜 (N+) | 不合符合 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 5.00 |
RFGB.CP.NB18 | 一塊塊氮化鎵 | 添加 (N+) | 不適反應用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 10.00 |
RFGB.CP.NB30 | 小塊氮化鎵 | 夾雜著 (N+) | 痛感用 | 430 | <10/cm2 | 10 -3 -10 -2 | 25.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.10 | 顆粒狀氮化鎵 | 半隔絕 | 不是用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 5.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.18 | 一塊塊氮化鎵 | 半隔熱 | 不是用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 10.00 |
RFGB.CP.SEMI.B.30 | 一塊塊氮化鎵 | 半隔絕 | 不是用 | 430 | <10/cm2 | 109-1012 | 25.00 |
RFGB.CP.UD.B.10 | 一塊塊氮化鎵 | 未夾雜 (N-) | 痛感用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 5.00 |
RFGB.CP.UD.B.18 | 大塊氮化鎵 | 未夾雜著 (N-) | 不滿用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 10.00 |
RFGB.CP.UD.B.30 | 團狀氮化鎵 | 未夾雜 (N-) | 不舒可用 | 430 | <10/cm2 | 0.5 | 25.00 |