推出期限:2023-02-16 16:39:32 訪問 :823
CREE PTVA120501EA的LDMOSFET結構設計適用于1200至1400MHz頻率段的功率放大器應用領域。特性包括高增益和帶螺母固定法蘭盤的熱高性能封裝形式。PTVA120501EA-V1選用Wolfspeed領先的LDMOS工藝技術;PTVA120501EA-V1提供優異的熱穩定性和優異的安全可靠性。
癥狀
聯通寬帶輸入兼容
高增益控制和高收益
最主要的輸入脈沖CW效果的指標;1200–1400MHz
50伏
300ms激光脈沖持續保持精力
10%pwm占空比
P1dB時的導出輸出阻抗54W
吸收率高率55%
增益值值16dB
一體化化ESD保護的
低散熱量
無鉛并符合要求RoHS細則法律法規
用研究方向
1200至1400MHz速率段的效率圖像電壓放大器;汽車雷達wifi天線
CREE(科銳)申請加入于1987年,CREE科銳具有30幾十年的寬帶網GAP原涂料料和自主創新好產品,CREE科銳有的是個完整篇的設計相互合作摯友,具有rf射頻的訴求,CREE科銳為行行業技藝技術領先的機裝備裝備提拱更強的額定功率和更低的功能模塊耗率。CREE科銳由最逐漸開始的GaN材料LED物品技藝技術領先全游戲,到微波通信rf射頻與厘米波電子器件物品,CREE科銳于2017年溶合出微波微波射頻微波射頻國產品牌Wolfspeed,以帶寬、大電機功率變成器商品為的特色。
上海市立維創展新材料技術是CREE的供應商商,賦予CREE紅外光電子元件資源優勢供貨合同營銷渠道,并持久庫存商品現貨平臺,以期國內 專業市場具體需求。
信息詳細了解CREE紅外光射頻紅外光請鼠標單擊://www.yhme.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA120501EA-V1 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 50 W | 17 dB | 50% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |