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?CGHV40050 Lk線瓦數變成器CREE

發布公告日子:2023-02-10 16:47:52     看:868

Wolfspeed的CGHV40050是無可比擬的,氮化鎵高手機移遷率硫化鋅管(HEMT)。CGHV40050用到50伏導軌,展示公用型光纖寬帶很好解決實施方案,關鍵不適適用rf射頻和微波射頻技術操作操作。

GaN HEMTs具備快速率,高增加收益和寬頻率段使用性能,使CGHV40050變成了了波形和擠壓拖動電源電路的佳化使用。CGHV40050尖晶石管選用2絞線卡箍盤和藥丸式裝封。

特點

高至4GHz的運營

77W舉例性輸出馬力

1.8GHz時的17.5dB小數據信息增益值值

0.8–2.0GHz的應該用供電電路板

PSAT限期率是53%

50伏的使用

科技適用

窄帶高頻繁

L和S光波

高至4GHz多倍頻程寬帶網絡增加器

CREE(科銳)注冊成立于1987年,CREE科銳具有30很多年的光纖寬帶GAP原的材料料和去創新食品,CREE科銳也是個詳盡的裝修設計協作伴侶,按照rf射頻的市場需求,CREE科銳為行行業內工藝領先地位的廣州POS機機給出更強的最大功率和更低的功能性損耗率。CREE科銳由最逐漸開始的GaN基面材料LED物品新技術更優全這個世界,到紅外光rf射頻與公分波IC芯片物品,CREE科銳于2017年轉移出微波加熱微波射頻該品牌Wolfspeed,以聯通寬帶、大工率變成器好產品為獨特。

佛山市立維創展科枝是CREE的銷售商,開發CREE微波通信器材優勢可言訂貨公司,并長久的存貨外盤,以便華人貿易市場各種需求。

情況熟知 CREE微波加熱射頻微波加熱請打開://www.yhme.cn/brand/35.html

CGHV40050.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV40050P

GaN on SiC

DC

4 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGHV40050F-AMP

GaN on SiC

0.8 GHz

2 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Evaluation Board

Flange

CGHV40050F

GaN on SiC

DC

4 GHz

50 W

16 dB

53%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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