更新期限:2023-01-05 16:44:22 預覽:870
Wolfspeed的CGH27030 專門為高效率設計的氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT);高增益和寬帶寬性能;CGH27030 成為VHF理想化選擇;通信網絡;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應用領域。旋緊法蘭盤可以使用CGH27030 晶體管;焊接工藝藥丸式封裝;與一個3mmx4mm;表面貼裝技術;雙平無導線(DFN)封裝。
顯著特點
VHF–3.0GHz調節
30W基線電功率特點
>15dB小信號燈增益值值
>28%吸粉效果
軟件應用
VHF;通信網網;3G;4G;LTE;2.3-2.9GHzWiMAX和BWA變小器應用領域有哪些?領域。
CREE(科銳)成為于1987年,CREE科銳提供30多年以來的帶寬GAP原料料和特色化商品,CREE科銳是一種個完整版的設汁達成合作伴侶,符合要求rf射頻的的需求,CREE科銳為行業內人士技術水平頂尖的機氣設備給出更強的耗油率和更低的功效衰減。CREE科銳由最剛開始的GaN材料的特性LED新產品的能力一流全市場,到徽波rf射頻與mm毫米波集成ic新產品的,CREE科銳于2017年提取出紅外光微波射頻項目Wolfspeed,以網絡帶寬、大馬力縮放器成品為獨具特色。
南京市立維創展現代科技是CREE的生產商商,有了CREE徽波元器競爭優勢供貨商橋梁,并長時貨源期貨,僅作國內 市面 訴求。
商品詳情頁認知CREErf射頻微波加熱請彈框://www.yhme.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGH27030F | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |
CGH27030P | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
CGH27030F-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 15 dB | 28% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CGH27030S-AMP1 | GaN on SiC | 1.8 GHz | 2.2 GHz | 30 W | 18 dB | 33% | 28 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGH27030S | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 30 W | 18 dB | 33% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Surface Mount |