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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

決定性，其奮發努力的成功出現無源GaN混頻器私人定制在設置三階交調截點（IIP3）與本市震蕩器（LO）驅使器的比列各方面達到任何砷化鎵（GaAs）無源混頻器私人定制 - a茶葉品質質因數私人定制MMIC已經在營造規則化熱轉化率。從S中k線到K中k線（2 GHz到19 GHz），以下新興無源GaN混頻器分享的IIP3字母遠不低于30 dBm，LO驅使電平約為20 dBm，規則化熱轉化率不低于10 dB。

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