亚洲一区二区精品-欧美一区二区三区在线-午夜精品在线-亚洲综合一区二区

Powerfilm 集成電路芯片端接API SAW Oscillators

發布新聞時段：2022-09-22 16:41:42 瀏覽網頁：921

APITech提供了多種不同的的Powerfilm?芯片終端。這些表面貼裝技術電阻器規定在終端和隔離器中損耗射頻功率。芯片會在BeO，氮化鋁，或碳化硅陶瓷上生產的薄或厚電阻器，依賴于所需要的規格型號。Powerfilm?芯片端子和電阻器的標準值為50和100歐姆，可提供更多的規格尺寸，并提供更多的焊接，銀或金拋光選擇。

APITech為全球里高準確性的行業提拱SAW自激振蕩器。API Tech采用非常低的相噪音表濾波器，其相位噪音使用性能太低。API的SAW企業產品可帶來了頻次范圍圖為100MHz至4000MHz，專門適航空運輸航天部用科技領域。API Tech提高動態平衡的頻率、電流值控住和鎖相自激振蕩器。

西安市立維創展科技發展有局限科技欧美在线一区二区-亚洲欧美综合-欧美国产一区二区-国产欧美一区二区，用心API SAW Oscillators較低相噪SAW晶振的產品進口代理營銷，最塊2-4周交房。

詳情頁學習API SAW Oscillators請點擊：//www.yhme.cn/brand/60.html

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Options	Width	Length	Height
12NPC30-60Z	10	12.0	BeO	TaN	Z	G, N, T, H	0.030	0.060	0.010
12NPC50-100EG	20	12.0	BeO	TaN	G	G, N, T, H	0.050	0.100	0.015
ANC100-200AG	25	7.0	AlN	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
ANC200-200AG	80	4.0	AlN	Thin	G	N, T, H	0.200	0.200	0.040
ANC250-250-40	40	2.5	AlN	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
ANC250-250-80	80	1.0	AlN	Thin	G, Z	N, T, H	0.250	0.250	0.040
ANC250-250BZ	16	2.0	AlN	Thin	Z	N, T, H	0.250	0.250	0.040
ANC250-375AZ	75	3.0	AlN	Thin	G	N, T, H	0.250	0.375	0.040
ANC350-225AG	150	4.0	AlN	Thin	G	N, T, H	0.225	0.350	0.040
ANC375-375AG1	250	2.7	AlN	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
ANC50-100	10	2.5	AlN	Thin	G	N, T, H	0.050	0.050	0.010
ANC50-50	5	6.0	AlN	Thin	G	N, T, H	0.050	0.050	0.010
KAC100-200AG	30	2.3	AlN	Thick	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
KAC100-200AZ	40	3.0	AlN	Thick	Z	N, T, H	0.100	0.200	0.040
KAC250-250AZ	75	4.0	AlN	Thick	Z	N, T, H	0.250	0.250	0.040
KAC250-375AZ	100	3.0	AlN	Thick	Z	N, T, H	0.250	0.375	0.040
KAC375-250AG	150	3.0	AlN	Thick	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
KAC375-375A	150	3.0	AlN	Thick	G, Z	N, T, H	0.375	0.375	0.040
KAC60-120AZ	10	4.0	AlN	Thick	Z	N, T, H	0.060	0.120	0.025
NPC20-40	3	18.0	BeO	TaN	G	G, N, T, H	0.020	0.040	0.010
NPC25-50	3	12.4	BeO	TaN	G	G, N, T, H	0.025	0.050	0.010
NPC50-100	10	4.0	BeO	TaN	G	G, N, T, H	0.050	0.100	0.010
NPC50-50	5	10.0	BeO	TaN	G	G, N, T, H	0.050	0.050	0.010
NPC75-150	15	4.0	BeO	TaN	G	G, N, T, H	0.075	0.150	0.010
PPC100-200A	20	4.0	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
PPC250-250AG	40	2.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
PPC250-250BG	80	3.0	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.060
PPC250-250BG1	75	7.0	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.060
PPC250-375AG2	200	2.7	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.375	0.040
PPC350-225AG	150	2.0	BeO	Thin	G	N,T,H	0.350	0.225	0.040
PPC375-375AG	250	1.0	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
PPC375-375AG2	250	2.0	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
PPC375-375AG3	300	4.0	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: CHA6362-QXG功率放大器Gaas單片微波IC UMS