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CGH40025 C頻譜25W 頻射熱效率 GaN HEMT CREE

公布的日子:2022-09-07 17:12:19     挑選:1004

Wolfspeed的CGH40025無可挑剔的;氮化鎵(GaN)晶體管具有較高的電子遷移率(HEMT)。CGH40025;從28伏電壓軌工作;提供通用型;CGH40025寬帶網絡解決方案適合各種射頻和微波應用領域。GaN HEMT提供高效率;高增益和寬帶網絡寬性能;CGH40025稱為線性和壓縮功率放大電路理想的選擇。晶體管可旋進;法蘭封裝和焊接藥丸式封裝。

CGH40025.png

表現

高至6GHz的操縱

2.0GHz時15dB小數據信息增益控制值

4.0GHz時13dB小數字信號增加收益值

30W經典PSAT

PSAT速率為62%

28伏控制

應用區域區域

2路私下錄音機

光纖寬帶縮放器

蜂窩的基礎基建項目項目建設

軟件測試機

ClassA;AB;最主要的在OFDM的規則化調大器;W-CDMA;EDGE;CDMA弧形

CREE(科銳)注冊于1987年,CREE科銳享有30多年后的光纖寬帶GAP原好產品料和不斷創新好產品,CREE科銳一個全面的設計的概念戰略合作摯友,不符合微波射頻的使用需求,CREE科銳為行業內人士能力世界領先的絲機設備給出更強的熱效率和更低的工作損耗費。CREE科銳由最剛剛開始的GaN基面材料LED成品技術設備更優全環境,到微波微波射頻微波射頻與毫米(mm)波集成塊成品,CREE科銳于2017年轉移出微波通信rf射頻產品Wolfspeed,以寬帶網絡、大工作效率變大器廠品為標志性。

杭州市立維創展科技創新是CREE的經銷處商,擁用CREE微波加熱功率器件資源優勢供貨周期橋梁,并長時倉庫現貨交易,以便國領域需求分析。

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Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGH40025F

GaN on SiC

DC

6 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Flange

CGH40025P

GaN on SiC

DC

6 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill

CGH40025F-AMP

GaN on SiC

3.4 GHz

3.8 GHz

25 W

>13 dB

62%

28 V

Evaluation Board

Flange


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