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C頻譜氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE

發部周期:2022-08-10 17:04:39     手機瀏覽:1056

Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提供更高的功率因素和更寬的帶寬。

特殊性

15W典例PSAT

28伏調節

高電壓擊穿場強

耐高溫反控

高達到8GHz的遠程控制

吸收率高

技術應用

2路自然人車載收音機

移動寬帶增加器

蜂窩知識基礎搭建

測試方法機

ClassA;AB;包括適用OFDM的線性網絡圖像放大器電路;W-CDMA;邊沿;CDMA波型

CREE(科銳)解散于1987年,CREE科銳配備30余年的移動寬帶GAP原涂料料和多元化服務,CREE科銳是個完全的設計的協作火伴,符合標準rf射頻的業務需求,CREE科銳為行同行業技能優勢的POS機設施給出更強的馬力和更低的能力消耗。CREE科銳由最剛剛開始的GaN材料LED商品技術工藝最前沿全世間,到微波通信微波射頻與毫米(mm)波電子器件商品,CREE科銳于2017年提取出微波頻射頻射品牌標志Wolfspeed,以移動寬帶、大瓦數放縮器商品為優點。

武漢市立維創展科學技術是CREE的經銷處商,得到CREE微波射頻集成電路芯片優越性供貨方式方式,并暫時存量現貨平臺,以備不時之需中茶葉市場所需。

商品詳情頁熟知CREErf射頻微波加熱請彈窗://www.yhme.cn/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80015D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

15 W

>12 dB

70%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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