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C股票波段CGHV1J006D-GP4 GaN HEMT電子器件CREE

正式發布事件:2022-07-20 16:36:43     查詢:964

CREE的CGHV1J006D是碳化硅襯底里的高壓氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);采用0.25-μm柵極尺寸的工藝技術。CGHV1J006D的GaN-on-SiC產品提供優質的高頻率高效率的特性。CREECGHV1J006D-GP4特別適合在40V和高擊穿電壓下作業在10MHz至18GHz的各種技術應用。

本質特征

17dB典范。10GHz時的小的信號增益控制值

60%非常典型值。10GHz時的PAE

6W其最典型的Psat

40伏控住

高至18GHz的反控

運用

衛星影像網絡通訊

PTP網絡通信接入

近海統計

摩托艇汽車雷達

渤海灣船泊交通配套貼心服務

光纖寬帶調小器

便捷率縮放器

CREE.png

CREE(科銳)創辦于1987年,CREE科銳滿足30這些年的聯通寬帶GAP原料料和科學創新成品,CREE科銳不是個完美的設計制作公司合作朋友,合適頻射的需求量,CREE科銳為行業界能力領跑的電腦機器帶來更強的輸出和更低的特點耗損。CREE科銳由最剛開始的GaN材料LED品牌系統專業全部級,到徽波微波射頻與亳米波心片品牌,CREE科銳于2017年分離法出微波加熱rf射頻項目Wolfspeed,以聯通寬帶、大馬力調小器類產品為代表性。

北京市立維創展科學技術是CREE的經銷處商,開發CREE徽波元器勝機訂貨公司,并長時倉庫外盤,以期我們股票市場使用需求。

內容理解CREE微波加熱射頻微波加熱請鼠標單擊://www.yhme.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1J006D-GP4

GaN on SiC

DC

18 GHz

6 W

17 dB

60%

40 V

Discrete Bare Die

Die


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