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C股票波段GaN MMIC 公率變成器CMPA0060002 CREE

上傳時間:2022-07-14 16:41:47     挑選:987

CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標;包括更高電壓擊穿;更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還保證更高功率密度和更寬的帶寬。C波段GaN MMIC功率放大器CMPA0060002CREE選用分布式(行波)放大器設計方法;能夠在極小的空間內完成極寬的帶寬。保證裸片和具有銅鎢熱管散熱器的旋入式封裝形式。

CREE的C波長GaN MMIC公率縮放器CMPA0060002擁有2-W;20-MHz-6000-MHz;GaN MMIC電率拖動器。

CREE.png

表現形式

17dB小衛星信號增益控制值

3W非常經典PSAT

載荷系數的電壓高達到28V

高電壓電流穿透

中高溫度控制

技術應用

過寬帶變大器

網路網絡光纖推動器

各種測試機器設備

EMC縮放器驅使器

CREE(科銳)揭牌于1987年,CREE科銳有著30幾年的移動寬帶GAP原建材料和企業創新成品,CREE科銳是一種個完全的制作進行合作方們,適用頻射的需求量,CREE科銳為行行業內的技術進取的服務器產品展示 更強的瓦數和更低的功用損耗率。CREE科銳由最開啟的GaN材料LED護膚品枝術技術領先全時代,到微波通信頻射與毫米左右波單片機芯片護膚品,CREE科銳于2017年區分出微波微波射頻微波射頻高端品牌Wolfspeed,以帶寬、大工作效率變大器產品設備為特點。

長沙市立維創展科技開發是CREE的經售商,賦予CREE微波加熱電子元器件優勢可言供貨商途徑,并長期性的庫存積壓現貨平臺,以備不時之需國內 行業市場的需求。

寶貝詳情要了解CREE微波加熱射頻微波加熱請鼠標單擊://www.yhme.cn/brand/35.html

 

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CMPA0060002F1

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

18 dB

25%

28 V

Packaged MMIC

Flange

CMPA0060002D

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

30%

28 V

MMIC Bare Die

Die

CMPA0060002F

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

23%

28 V

Packaged MMIC

Flange

CMPA0060002F-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

17 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Flange

CMPA0060002F1-AMP

GaN on SiC

DC

6 GHz

2 W

18 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Flange


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