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MSN12AD20-MQ應詢問低交流學習特性阻抗外接電源開關板塊，高電感外接電源開關或線路圖電感或許是會干擾到MSN12AD20-MQ的增強效能。設置電罐體器可以馬上放置在MSN12AD20-MQ的輸入管屁股上，以最長化輸入紋波端電壓并 保障MSN12AD20-MQ穩定性特性。

為了讓能可以減少傳輸紋波并提升對階躍負載電阻搬家的動態的沒有響應，應該在傳輸端采用更多的電阻器。推存采用低ESR聚合反應物和陶瓷制品電容（電儲罐）器來提高自己MSN12AD20-MQ的所在紋波和動態圖片出現異常。

MSN12AD20-MQ多了一個內外0.6V決定性線電壓值，傳輸線電壓值能經過過渡電容器RFBH和RFBL積極開展java開發，分離功率電阻器要求盡可能合閉到VOUT管腳、FB管腳和VOSNS管腳。有力意見一個功率電阻器器的功率電阻器值均在100Ω至3.4kΩ兩者。如果我RFBH快速設置為976歐姆，輸出精度電阻會如等式1如下求算，關鍵傳輸線電壓的內阻如表1一樣。

保底軟開啟日子限制為3ms。能順利通過在TRK管腳和VOSNS管腳間增多SS電貯槽器來提拔。SS電阻器總值可跟據等式2選擇：

MSN12AD20-MQ提供了個模仿放入管腳（TRK），應在定位跟蹤另一個說的是個啟閉供電或得到外接考生。當外接端電壓表現接通到TRK時，它做為MSN12AD20-MQ傳輸電阻值的關聯性。FB電流電流截然尊循該外觀電流電流信息，軟開啟修改被給忽略。TRK錄入訊號也能在0.3V到1.4V的范疇當中。在在初期的啟動的階段，TRK還要第一方面改變非常少600mV，以質量保障正常情況啟動。此后，能將其控制在為0.3V和1.4V間的絲毫值。

MSN12AD20-MQ具備著公率良好率（PG）模擬輸出。PG是MOSFET的開漏。只能根據上拉電阻器器（常為10kΩ）將PG應用到VCC或其它的不低于3.6V的第三方電流值源。施加壓力輸進電流值后，MOSFET通斷，于是在軟初始化準備好時候，PG被拉至GND。在FB線電阻保證 參考資料線電阻的96%后，PG在0.8ms卡頓后被拉漲。當FB電流調至借鑒電流的80%或小于標稱參考使用電壓值的116%時，PG修改為低。PG才能夠在新的軟進行后二次被殺跌。比如進入供電開關供電時未為MSN12AD20-MQ供電系統，則雖然PG基于上拉電容器接通到異常直流變壓器面板開關外接電源，PG也會被鉗位為低。

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