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CREE微波射頻工率 GaN HEMT

發布消息時間段:2022-07-11 17:01:02     閱覽:1157

CREErf射頻額定功率CGH40006是前所未現的;氮化鎵(GaN)高電子電子元器件電子元器件遷址率單晶體管(HEMT)。CREErf射頻電率CGH40006;從28V電壓電流軌啟動;帶來普通型;重要中用各式應有盡有微波射頻射頻和微波射頻技術應用的寬帶網無線網絡避免措施。CREErf射頻公率GaNHEMT提供了有率;高收獲和網絡信息帶寬網絡信息寬特點;使CGH40006身為線形和文件壓縮工率縮放電路系統的理想的化考慮。CREE微波射頻瓦數GaNHEMT用焊接加工藥Pill芯片封裝類型和3-mmx3-mm;面貼裝;雙扁長無絞線封口手段。

特殊性

達6GHz的操控性

2.0GHz時13dB小4g信號增益值值

6.0GHz時11dB小手機信號增益值值

PIN=32dBm時典型的值一般選擇8W

28伏超控

操作

2路個體戶調頻錄音機

寬帶網放縮器;

蜂窩基礎框架場地設施建設規劃;

測試圖片生產設備;

ClassA;AB;重點代替OFDM的瓦數變小器;W-CDMA;EDGE;CDMA波型

北京市立維創展科技開發是CREE的供應商商,CREE貨品一般包括:出現發亮肖特基電感IC芯片,照明產品出現發亮肖特基電感,背光出現發亮肖特基電感,輸出功率轉換開關元器,移動電頻點產品和移動電產品的出現發亮肖特基電感。CREE要借助長處的生產商校園推廣渠道,長時間配備貨源,以滿足需要全球賣場的要,熱烈歡迎管理咨詢。

寶貝詳情清楚CREE頻射微波加熱請彈窗://www.yhme.cn/brand/35.html

 CREE.png

產品

面值最小

頻率

幾率

基線讀取工作功率

賺取

效應

工做電流電壓

結構

打包類行

CGH40006S-AMP1

DC

6GHz

6W

>11 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGH40006P-AMP

2GHz

6GHz

6W

>11 dB

NA

28 V

Evaluation Board

Pill

CGH40006S

DC

6GHz

6W

>11 dB

65%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Plastic

CGH40006P

DC

6GHz

6W

>11 dB

65%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Pill


選擇信息資訊
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