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UMSmm波外部一致GAN工率結晶管

發布信息時間間隔:2022-04-13 16:54:30     訪問 :1047

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMS直徑波出具基本概念ASIC或導航車輛的全因素新報價,核心來源于大公司的內部的III-V水平,并提拱全角度的紙質合同功能,使雇主可以可以直接建設我們的成品搞定設計。UMS公分波的整個索引產品從DC到100GHz都來源于GaAs、Gan和SiGe工藝,比如可高達200W的瓦數調大器、融合訊號性能、超高噪音污染調大器和完整版的發收器系統。UMS類產品以塑料模具的形態作為,但往往以多電子器件引擎的形態封口。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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