發布信息時間間隔:2022-04-13 16:54:30 訪問 :1047
GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管
UMS直徑波出具基本概念ASIC或導航車輛的全因素新報價,核心來源于大公司的內部的III-V水平,并提拱全角度的紙質合同功能,使雇主可以可以直接建設我們的成品搞定設計。UMS公分波的整個索引產品從DC到100GHz都來源于GaAs、Gan和SiGe工藝,比如可高達200W的瓦數調大器、融合訊號性能、超高噪音污染調大器和完整版的發收器系統。UMS類產品以塑料模具的形態作為,但往往以多電子器件引擎的形態封口。
成都市立維創展技術非常有限集團是UMS的進口分銷商,項目工程專業為wifi手機流量項目工程、航天工程通信基站、防御、機動車、ism等行業中帶來高安全可信度頻射微波加熱mm波元器件及智能家居控制用電線路。UMS護膚品采取QFN和壓鑄模再生,供供貨期短,價錢長處與眾不同。小編為這些形號打造高品品質的UMS車輛貨源。歡迎大家詢問。
詳情介紹熟知 UMS請選擇://www.yhme.cn/brand/36.html
Reference | RF Bandwidth (GHz) | Small signal Gain | Power | Associated Gain | PAE | DC Bias | Case | |
min | max | |||||||
CHZ180AaSEB | 1.2 | 1.4 | 20 | 200 | >14 | 52 | VDS 45V @ ID_Q 1.3A | Ceramic Metal Flange |
CHZ015AaQEG | 1.2 | 1.4 | 17.2 | 15 | > 14 | > 55 | VDS 45V@ID_Q 100mA | QFN Plastic package |
CHZ8012-QJA | 2.6 | 3.4 | 16.5 | 12 | 11 | 55 | VDS 30V @ ID_Q 180mA | QFN Plastic package |
CHZ9012-QFA | 2.7 | 3.4 | 16 | 65 | 12 | 55 | VDS 30V@ID_Q 800mA | QFN Plastic package |