正式發布日子:2022-03-01 17:02:12 查看:1517
氮化鎵具備優質的耐高溫性,因此氮化鎵制成的電力電子產品幾乎不需要制冷。晶體管主要是由硅制作而成,應用在高壓線路中計算和提高電子器件射頻信號。
GaN熱效率單晶體管通常情況下是L和S頻譜汽車雷達機系統中心線性和收縮電率增加器的有源電氣元件。GaN效率結晶體管擔心其低動能動用量和高效率高密度,在魅力電子為了滿足電子時代發展的需求,技術范圍的應運越發越普及。它可應運在飛防電子為了滿足電子時代發展的需求,技術、服務保障業服務保障、工藝加工、醫療保健設施設備和國防安全在軍事范圍的輸電線路和機系統中的多種應運范圍。想一想都動用寬帶網絡隙GaN半導體設備文件的特性,在小打包封裝中導致了應有高電率硬度和高輸送電率電平的RF/微波加熱多晶體管。
UMS提拱來源于ASIC或子目錄車輛的周到最新報價,最主要的通過大公司內壁的III-V技術性,并供給多方位的協議書服務于,使客可能會建設各自的貨品來解決設計方案。UMS從DC到100 GHz的大多數目次新產品都要系統設計GaAs、GaN、SiGe方法,其中包括自由高達200 W的電率調小器、混合式信息效果、極低的噪音調小器和完善的接收器設備。UMS貨品以管芯的的狀態提供數據,但一般來說以多電源芯片板塊的的狀態封裝類型。
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Reference | Glin | Operating Frequency | Saturated Power | PAE | Bias | Bias | Case |
CHKA011aSXA | 23.5 @ 0.44 | Up to 1.5 | 130 | 75 @ 0.44 | 640 | 50 | Ceramic Metal Flange |
CHK8013-99F | 17 @ 6 | Up to 10 | 14 | 70 @ 6 | 180 | 30 | Die |
CHK9014-99F | 13 @ 12 | Up to 13 | 60 | 50 @ 12 | 700 | 30 | Die |
CHK8015-99F | 17 @ 9 | Up to 18 | 20 | 68 @ 9 | 200 | 30 | Die |
CHKA012a99F | 20 @ 3 | Up to 4 | 140 | 76 @ 3 | 0.65 | 50 | Die |
CHK015AaQIA | 18 @ 3 | Up to 4 | 20 | 55 @ 3 | 800 | 50 | QFN Plastic package |
CHK8101a99F | 14 @ 6 | Up to 6 | 20 | 60 @ 6 | 0.1 | 50 | Die |
CHK9013-99F | 18 @ 6 | Up to 8 | 88 | 65@6 | 1100 | 30 | Die |