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Qorvo采用我們最先進的超低噪聲0.15μm pHEMT和0.25μm E-pHEMT工藝技術提供多種多樣的分立晶體管組件。QORVO分立晶體管GAAS PHEMT接受用戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各類分立FET提供低至0.15dB的NF(最小值),最高可采用22GHz。還提供匹配晶體管,特別適合平衡LNA設計。
重點作用
非常低噪音比率——低至0.15dBNF(輕柔的值)
提供數據裸片或封裝狀態
應用科技領域
流量信號塔
國防軍事通迅
直連(PtP)移動電
佛山市立維創展科技產業是QORVO的經售商,主要的出示QORVO公率拖動器, IC和裸IC芯片,立維創展持有穩定性高的供應信息平臺,市場價格勝機,并很大配備現貨平臺庫存管理,歡迎詞了解和咨詢。
詳細信息認知Qorvo請點擊:http : //www.yhme.cn/public/brand/4.html
Part # | Frequency Min | Frequency Max | Type | Gain | OP1dB | Psat | NF | PAE | Vd | Idq |
QPD2018D | DC | 20,000 | 14 | 22 | 22 | 1 | 55 | 8 | 29 | |
QPD2025D | DC | 20,000 | 14 | 24 | 24 | 0.9 | 58 | 8 | 40 | |
QPD2040D | DC | 20,000 | 13 | 26 | 26 | 1.1 | 55 | 8 | 65 | |
QPD2060D | DC | 20,000 | 12 | 28 | 28 | 1.4 | 55 | 8 | 97 | |
QPD2080D | DC | 20,000 | 11.5 | 29.5 | 29.5 | 1 | 56 | 8 | 130 | |
QPD2120D | DC | 20,000 | 11 | 31 | 31 | 1 | 57 | 8 | 194 | |
QPD2160D | DC | 20,000 | 10.4 | 32.5 | 32.5 | 1 | 63 | 8 | 258 | |
TQP3M6005 | 1,700 | 2,000 | 17.9 | 21.6 | 0.36 | 4.5 | 50 |