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Custom MMIC分立多晶體管GAAS PHEMT

發表時刻:2021-12-10 17:02:33     打開網頁:1310

Custom MMIC采用我們最領先的超低噪聲0.15μmp HEMT和0.25μmE-p HEMT工藝技術提供各種各樣分立晶體管組件。Custom MMIC分立晶體管GAASPHEMT允許客戶在設計低噪聲放大器(LNA)電源電路時完全控制。各種各樣分立式FET提供低至0.15dB的NF(最小值),并可在高達22GHz的工作頻率下使用。Custom MMIC還提供相匹配對晶體管,特別適合平衡LNA設計方案。

重要結構特征

超高噪聲污染指數–低至0.15dBNF(最長值)

可供給裸片或封裝內型內型;

用研究方向

通迅信號塔;

中國軍事通訊;

直連(PtP)遠程電

東莞 市立維創展科持是CUSTOM MMIC的經銷處商,立維創展輔助選取的符合意愿的最恰當的MMIC優化網絡徽波頻微波射頻射衛星信號鏈。CUSTOM MMIC是一種個完正性的ISOv認證和同類型型完美MMICs經銷處商。產生飛速持續增長的高功效頻射/微波加熱頻射MMIC廠品系類。

 Custom MMIC分立晶體管GAAS PHEMT

Part #

Frequency Min
MHz

Frequency Max
MHz

Gain
dB

OP1dB
dBm

Psat
dBm

NF
dB

PAE
%

Vd
V

Idq
mA

QPD2018D

DC

20,000

14

22

22

1

55

8

29

QPD2025D

DC

20,000

14

24

24

0.9

58

8

40

QPD2040D

DC

20,000

13

26

26

1.1

55

8

65

QPD2060D

DC

20,000

12

28

28

1.4

55

8

97

QPD2080D

DC

20,000

11.5

29.5

29.5

1

56

8

130

QPD2120D

DC

20,000

11

31

31

1

57

8

194

QPD2160D

DC

20,000

10.4

32.5

32.5

1

63

8

258

TQP3M6005

1,700

2,000

17.9

21.6


0.36


4.5

50


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