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AMCOM頻射多晶體管GaAs FET

推出的時間：2020-09-15 15:12:31     網頁瀏覽：1933

AMCOM砷化鎵場滯后效應多晶體管(GaAs FET)是一個種專于低頻、超低頻和紅外光rf射頻放小電路系統的場定律結晶管。AMCOM微波射頻多晶體管GaAs FET的頻率范圍跨越電磁輻射譜，從30 MHz到紅外波段。AMCOM頻射多晶體管GaAs FET以其靈敏度而聞名，而GaAs FET產生的內部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過半導體材料。AMCOMrf射頻結晶管GaAs FET是一種種吸引配件，這預兆著當控制參比電極沒交流電阻時，它會導電，當柵極有交流電阻時，溝道導電率會大大減少。

在弱訊號手機無線溝通和廣播節目發送等方面，AMCOMRF晶胞管GaAs FET的效果好于大占多數數其他的內型的場因素納米線管。一下內型的GaAs FET也適用rf射頻額定功率圖像放大電路。GaAs FET也應用在星體電力、射電天文學和無限電愛好特長者所做的實驗室。

AMCOMrf射頻納米線管GaAs FET具備積極的線形度。

鄭州市立維創展網絡是AMCOM生產商商，專門提高AMCOM軟件編涵蓋：微波射頻硫化鋅管、MMIC工作電率變小器、混變小器傳感器、寬帶網變小器、高工作電率變小器傳感器、帶RF和DC連到器的高電功效調大器模塊電源和低噪音調大器，電功效調大器，觸點開關，衰減器，移相器各類上/接下來直流軟啟動器的個性等，商品原廠進口的，的質量可以保障，歡迎辭聯系。

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 AMCOM.png

整治

頻率（GHz）

最大頻率（GHz）

增益（dB）

P1聲音分貝（dBm）

IP3（dBm）

偏差（V）

AM010MH4-BI-R

直流電源電

3

19

31

46

-28

AM030MH4-BI-R

直流電電

3

19

36

49

-28

AM006MX-QG-R

電流電

6

13

22

34

-5

AM012MX-QG-R

直流電源電

6

13.5

25

37

-5

AM024MX-QG-R

直流電壓電

6

13

28

39

-5

AM036MX-QG-R

直流電電

6

12

29.5

42

-5

AM048MX-QG-R

直流電壓電

6

11

31

43

-5

AM072MX-CU-R

電流電

6

11

34

46

-7

AM100MX-CU-R

直流電壓電

6

10

35

48

-7

AM150MX-CU-R

整流電

6

10

36.5

50

-7

AM200MX-CU-R

直流電壓電

6

10

38

48

-7

AM300MX-CU-R

直流電源電

6

9

39.5

51

-7

AM005MH2-BI-R

電流電

6

15

25

40

-14

AM010MH2-BI-R

電流電

6

15

28

43

-14

AM032MH4-BI-R

電流電

6

19

36

49

-28


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