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AMCOM離散電率GaN HEMT微波射頻結晶體管

發布了日子:2020-08-27 16:10:31     手機瀏覽:2268

AMCOM是全球半導體微波設計領先企業,是機器設備/MMIC封裝,功能模塊組裝和RF/DC檢測領域的專家,AMCOM的產品涵蓋功率FET,MMIC功率放大器及其帶有rf射頻和直流電連接器的高功率放大器功能模塊。AMCOM離散工作電壓GaNHEMTrf射頻多晶體管應有優良的線性和寬帶網絡優質,同時還能有效充分的進一步強化比較好的高工率高硬度和傷害率。

GaN就是一種是非常可靠的有機化合物,體現了更強的電子層鍵、高的熱導率、最多的電離度和順暢的生物可靠性,這導致GaN元器件比Si和GaAs具有著更強的抗輻射源力量。一并,GaN也是種高溶點、高導電性的村料。GaN工率元器件封裝一般而言以SiC為襯底,含有比較好的熱導率,對此GaN工率元器具備較高的結溫文爾雅氣溫做工作實力。

GaN高電子技術遷出率結晶管(HEMT)作罷為5G玄幻通信基站工作電阻值放縮器的主打備選技術性,由其本身的高擊穿電阻值電阻值、高工作電阻值容重、大傳輸速率和高率,已是為5 G基站設備省心半導技木。

成都 市立維創展技術AMCOM供應商商專業性給出AMCOM食品系列產品還有:頻射硫化鋅管、MMIC功效增加器、混合法增加器傳感器、網絡帶寬增加器、高功效增加器傳感器、帶RFDC連到器的高馬力增加器控制器和低環境噪聲增加器,馬力增加器,旋鈕,衰減器,移相器各種上/底下變頻器的開發等,類產品原廠進口的,質量確定,喜愛咨詢公司。

信息學習AMCOM可點一下://www.yhme.cn/brand/1.html

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 AMCOM.jpg

離散熱效率GaN HEMT

對模型

頻率(GHz)

最大頻率(GHz)

增益(dB)

P1聲音分貝(dBm)

峰值(dBm)

偏差(V)

AM050WN-CU-R

電流電

6

16.5

41.7

43

-14

AM100WN-CU-R

直流電壓電

6

14

44.5

46

-14

AM025WN-BI-R

整流電

8

16

38.9

40

-14

AM012WN-BI-R

直流電壓電

10

17

36.1

37

-14

AM005WN-BI-R

直流電電

12

15

32

33.5

-14

AM012WN-00-R

電流電

15

22

36.1

37.7

-14

AM025WN-00-R

直流電電

15

21

38.9

40.5

-14

AM050WN-00-R

整流電

15

20

41.7

43.3

-14

AM100WN-00-R

直流電壓電

15

19

44.5

46.1

-14

AM005WN-00-R

直流電電

18

23

32

33.4

-14


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