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X3C09F1-20S是一種個低剖面，高特點20dB定向培養交叉耦合器在一兩個新的便于適用，營造十分友好的外面裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段軟件應用而設計的。X3C09F1-20S是專為動均衡電功率和低的噪音擴大器、衛星信號確定和某個須得低嵌入衰減和緊幅相動均衡的廣泛應用而設計構思的。它會應用在25瓦下類的大效率用途。配件上的要經過要從嚴的簽定測試圖片，并便用熱收縮指數公式（CTE）與常用基材（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺）兼容的物料生產。選用6/6合乎RoHS要求的浸錫補救。

X3C09F1-20S結構特征：

700-1000兆赫

AMPS、GSM、WCDMA和LTE

高電機功率

是低的損耗費

高定位性

生育十分友好型

磁帶和卷盤

無鉛

X3C09F1-20S主要參數表

頻點（GHZ）：0.7 - 1

最大功率（W）：25

插進自然損耗（dB）：0.05

回波損耗率（dB）：25

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