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X3C35F1-03S是一種低剖面、高性能的3dB混合耦合器，采用一種易于使用、制造友好的表面安裝組件。X3C35F1-03S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊密振幅和相位平衡的應用而設計的。它可以用于25瓦以下的大功率應用。零件經過嚴格的鑒定測試，并使用熱膨脹系數（CTE）與常見基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺）兼容的材料制造。采用符合6/6 RoHS標準的浸錫處理工藝生產.

X3C35F1-03S特征英文：

3300-3700兆赫

高電率

無比低的耗用

密切協作波幅發展

高隔開度

制作信賴型

磁帶和卷盤

無鉛

X3C35F1-03S重要性參數表

次數（GHZ）：3.2 - 4.2

輸出（W）：25

回波損耗率（dB）：23

加上耗費（dB）：0.20

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