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HMC219B有的是款超大中型通用的雙和平混頻器，按照8引腳超大中型朔膠表貼打包封裝，帶裸露出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單基帶芯片徽波集成型電線(MMIC)混頻器按照砷化鎵(GaAs)金屬材料半導場調節作用多晶體管(MESFET)生產技術制造技術，不同外觀元配件或配比電線。該配件可作概率空間為2.5 GHz至7.0 GHz的上交流伺服驅動器、下交流伺服驅動器、雙相配制器或相位十分器。 立維創展HMC219B按照由網站優化的巴倫結構類型，提供經驗豐富的本振(LO)至頻射(RF)分隔及LO至中頻(IF)分隔效能。不非常符合RoHS標準規范的HMC219B不同線焊，與高體積表貼開發的技術兼容。MMIC效能安全穩定可提供系統的作業有效率并確定不非常符合HiperLAN、U-NII和ISM法律規范的標準。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE適用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖