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CGHV96050F2無定形碳硅高電子元器件轉入率尖晶石管 一級代理現貨平臺

發布新聞時段：2019-02-22 10:22:17     瀏覽網頁：1848

50 W，7.9 - 9.6 GHz，50歐姆，放入/打印輸出識別GaN HEMT


Wolfspeed的CGHV96050F2是無定形碳硅（SiC）基鋼板上的氮化鎵（GaN）高電子器材滲透率晶狀體管（HEMT）。與另一個系統相比之下，這款GaN內壁相配（IM）FET擁有出眾的的公率額外增加利用率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備著優秀的耐腐蝕性，具有較高的損壞交流電壓，較高的達到飽和狀態電子漂移速度慢和較高的導熱性率。與GaAs晶胞管相對，GaN HEMT還打造大的效率孔隙率和更寬的服務器帶寬。該IM FET主要包括不銹鋼/工業陶瓷法蘭部裝封，兼備合適的組合件和熱性食物能。

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT常見值


基線輸出電壓電功率 50W
采用 L頻譜/ S頻譜/ X頻譜/ C頻譜/ Ku頻譜
非常典型的輸出功率浮動利用率PAE 55％
典型性最大功率（PSAT） 80瓦
熱效率收獲 10dB
上班輸出功率 40 V
速度 7.9 - 9.6 GHz
再生形式 輪緣
內外部適合 是 - 50Ω

示意圖

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