AM005WN-BI-R不是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總參數為0.5mm。它就是個衛浴陶瓷裝封,事情幀率能夠達到12ghz。BI一系列應用特出設汁的陶瓷廠家芯片封裝,應用放入式裝設方案,會有屈曲(BI-G)或直(BI)絞線。封裝形式底層的法蘭盤另外重復使用直流電源地線、微波射頻地線和熱檢修通道。此有些按照RoHS。
結構特征
將高達12GHz的高頻實際操作
增益值=15dB,P5dB=33.5dBm,PAE=51%,漏極=56%@3GHz
面上貼裝
有效地cpu散熱的下層
運用
高信息讀取器
蜂窩無線wifi移動通信基站
移動寬帶和窄帶增加器
統計
試驗儀器設備
俄羅斯軍事
串擾器