AM012WN-BI-R是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總凈寬為1.25公分。它是在有一個陶瓷制品雙包實操高達mg10千兆赫。BI系列的選取特定設計的的陶瓷圖片打包封裝,選取置于式怎么安裝辦法,會有屈曲(BI-G)或直(BI)電纜線。封裝形式下方的卡箍同樣當作直流電壓的與地面、rf射頻的與地面和熱過道。此部件包含RoHS。
表現形式
高至10GHz的低頻工作
收獲=17dB,P5dB=37dBm,PAE=51%,漏極=55%@2.8ghz
外表貼裝
有用散熱性能的表層
適用
高情況接受器
蜂窩無線網絡基站天線
光纖寬帶和窄帶圖像放大器電路
聲納
試驗器材
軍隊
要素器