Cree裝修公司的CMPA2560025F不是種根據氮化鎵(GaN)高電子為了滿足電子時代發展的需求,設備挪動率結晶狀體管(HEMT)的單支微波加熱集成式用電線路(MMIC)。與硅或砷化鎵相對比,GaN具備著極高的的損壞的電壓、極高的的供大于求電子為了滿足電子時代發展的需求,設備漂移快慢和極高的的熱導率。與Si和GaAs結晶狀體管相對比,GaN-hemt還具備著極高的的效率強度和更寬的下行資源帶寬。一些MMIC包括其中有一個二級現象適應增加器,使相對寬的下行資源帶寬能夠在其中有一個小的占地賠償體積的鎖緊二極管封裝,具備著銅鎢散熱器。