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XC2100E-03S是款低剖面、高能力20dB定項交叉耦合電路器，進行新穎容易實用、制作友好關系的表面層施工裝封。它是為UMTS和另一個3G運用而規劃的的。XC2100E-03S專業書籍規劃的采用最大工作功率和工作頻率論文檢測，或應該嚴格執行管控交叉耦合電路和低嵌入不足的VSWR數據監測。它應該采用敢達150瓦的大最大工作功率運用。與熱增大因子為435的聚酰亞胺基片（如經堅持原則測驗的FR0-435）和熱增大因子想同。提供數據5/6錫鉛（XC2100A-20P）和6/6浸錫（XC2100A-20S）貼合RoHS的裝飾。

XC2100E-03S特性：?2000–2300兆赫?UMTS和另一個3G?高耗油率?如此低的損耗率?緊密配合交叉耦合?高指在性?生產加工很友好型?磁帶和護符?提供數據無鉛（含砷）或錫鉛?可靠性，協調=0.41