EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口長度為120μm,0.15納米。T形全鋁道閘存在低電阻器和出眾的能信性。
該配件顯示信息出尤其高的跨導,最后形成尤其高的速率和低躁聲耐熱性。
它以集成ic模式保證,含有按照孔聯系的源極,僅需規定柵線和漏極線。
EC2612-99F 晶體管
rf射頻上行寬帶(GHz): 直流電源-40增益值(dB):9.5背景噪聲比率(dB):1.5購貨交貨:3-4周EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管(0.15μm pHEMT)技術。
澆口長度為120μm,0.15納米。T形全鋁道閘存在低電阻器和出眾的能信性。
該配件顯示信息出尤其高的跨導,最后形成尤其高的速率和低躁聲耐熱性。
它以集成ic模式保證,含有按照孔聯系的源極,僅需規定柵線和漏極線。