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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
最重要性能參數

CHZ180AaSEB  內部匹配的GAN功率晶體管

頻射下行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小的信號增加收益（dB）：20額定功率（W）：200相關的增加收益（dB）： > 14P-1dB打印輸出（dBm）：-PAE（％）： 52購貨交貨：3-4周

品牌：UMS微波

服務信息講述

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

越來越是和電脈沖汽車雷達應用軟件。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT加工上明確提出的。它通過準MMIC技術工藝。

它用到密封活套法蘭陶瓷圖片復合電源適配器封裝類型，可打造低內寄生和低熱導率。


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