CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該新產品為雷達探測和聯通光纖寬帶等各樣RF電壓應用領域供應公用和光纖寬帶處理方法。
該控制電路是在SiC襯底上用0.25μm柵長的GaN HEMT枝術營造的。
它以裸基帶芯片行駛說出,但是可以外鏈配對電線。
CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@速率(GHz): 18 @ 6工作上的頻率(GHz): 最長4個過剩效率(W): 88PAE(%)@頻點(GHz): 65 @ 6定貨交貨時間:3-4周CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該新產品為雷達探測和聯通光纖寬帶等各樣RF電壓應用領域供應公用和光纖寬帶處理方法。
該控制電路是在SiC襯底上用0.25μm柵長的GaN HEMT枝術營造的。
它以裸基帶芯片行駛說出,但是可以外鏈配對電線。