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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
比較重要參數值

CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@規律（GHz）： 14 @ 6操作幀率（GHz）：比較多6個飽和點耗油率（W）：  20PAE（％）@聲音頻率（GHz）： 60 @ 6定貨交貨期：3-4周

品牌：UMS微波

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CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該車輛為雷達探測和聯通網絡等各個RF電源模塊運用提高基礎和寬帶網絡解決計劃方案。

它是研究背景SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT系統激發的，另外很大具有RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制指令的設定。

它以裸IC芯片類型入憲，因此需求外界一致電源線路。


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