CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該三極管是在SiC襯底上用到0.25μm柵極高度的GaN HEMT技術設備研制的。
它以裸集成ic結構說出,因此須要外邊一致電線。
CHK8015-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@次數(GHz): 17 @ 9任務幀率(GHz): 最少18飽和工作電壓(W): 20PAE(%)@規律(GHz): 68 @ 9訂購交貨時間:3-4周CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該三極管是在SiC襯底上用到0.25μm柵極高度的GaN HEMT技術設備研制的。
它以裸集成ic結構說出,因此須要外邊一致電線。