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CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
重點技術參數

CHK8013-99F  氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@速度（GHz）：17 @ 6業務平率（GHz）： 高達獨角獸10GHz飽和狀態工作電壓（W）：  14PAE（％）@概率（GHz）： 70 @ 6進貨交貨時間：3-4周

品牌：UMS微波

物料詳情頁講述

CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該產品設備為聲納和5G等各樣RF供電廣泛應用提供數據通用型和移動寬帶處理好計劃書。

該電路設計是在SiC襯底上通過0.25μm柵長的GaN HEMT的技術生產的。

它以裸處理芯片組織形式強調，另外必須要間接匹配好電路原理。


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