CHA2091-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板利用標準規范的pHEMT生產技術制做:柵極時間0.25μm,憑借基材的通孔,氣流橋和電子元器件束柵星空刻。
它以集成塊組織形式提高。
CHA2091-99F 放大器– LNA
頻射下行帶寬(GHZ):36 - 40增益控制(dB):14增加收益同軸度(dB):0.5燥音標準值(dB):2.5P-1dB導出(dBm):12備貨交貨期:3-4周CHA2091-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板利用標準規范的pHEMT生產技術制做:柵極時間0.25μm,憑借基材的通孔,氣流橋和電子元器件束柵星空刻。
它以集成塊組織形式提高。