CHA2391-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板使用標準規定的pHEMT新工藝造成:柵極厚度0.25μm,經過的基板的通孔,氧氣橋和電子為了滿足電子時代發展的需求,束柵星空刻。
它以基帶芯片主要形式打造。
CHA2391-99F 圖像電壓放大器– LNA頻射資源帶寬(GHZ):36 - 40增益值(dB):15增加收益同軸度(dB):0.5噪音標準值(dB):2.5P-1dB讀取(dBm):12購貨貨期:3-4周
CHA2391-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板使用標準規定的pHEMT新工藝造成:柵極厚度0.25μm,經過的基板的通孔,氧氣橋和電子為了滿足電子時代發展的需求,束柵星空刻。
它以基帶芯片主要形式打造。