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CHA2092b99F是高增益寬帶三級單片低噪聲放大器。

存儲芯片的表面是RF和DC接地極。這促使簡略安裝過程中。自偏置技術性在單片機芯片上改變，以減緩三極管偏置。

它設定于從軍事到餐飲業網絡通訊體系的很廣采用。

該電源線路選取pHEMT加工工藝產生的技術，柵極間距為0.25μm，依據基鋼板的通孔，水汽橋和智能電子束柵極夜刻的技術產生的技術。

它以IC芯片方法給出。