CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路原理使用pHEMT新工藝造成,柵極間距為0.25μm,完成基鋼板的通孔,的空氣橋和智能束柵流星刻技木造成。
它以達到RoHS的SMD打包封裝給出。
CHA3688aQDG 放大器– LNA
rf射頻下行帶寬(GHZ):12.5-30增益控制(dB):26增益值同軸度(dB):2噪音分貝因子(dB):2P-1dB輸出精度(dBm):14訂購交貨:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路原理使用pHEMT新工藝造成,柵極間距為0.25μm,完成基鋼板的通孔,的空氣橋和智能束柵流星刻技木造成。
它以達到RoHS的SMD打包封裝給出。