CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路設計運用pHEMT流程生產:柵長0.25μm,使用基鋼板的通孔,氣橋和光電子束柵光刻。
它以集成電路芯片行式或密封無鉛淘瓷封裝保證。
CHA2063a99F 放大器– LNA
rf射頻網絡帶寬(GHZ): 7-13增加收益(dB):19增益控制同軸度(dB):2的噪音因子(dB):2P-1dB輸出的(dBm):8定購交貨時間:3-4周CHA2063a99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電路設計運用pHEMT流程生產:柵長0.25μm,使用基鋼板的通孔,氣橋和光電子束柵光刻。
它以集成電路芯片行式或密封無鉛淘瓷封裝保證。