所述CHA3666-FAB是兩極自偏置寬頻寬單面低噪音分貝圖像運放電路。
該線路利用標淮的pHEMT技術生產加工:柵極厚度0.25μm,憑借柔性板的通孔,氣流橋和電子元器件束柵幻影刻。
意見建議選取無鉛界面貼裝全封性金屬制陶瓷圖片6x6mm2芯片封裝。全局電為4V / 80mA。
該用電線路專用工具于太空站廣泛運用,也比較可以各式各樣微波加熱和直徑波廣泛運用和機系統。
CHA3666-FAB 放大器– LNA
rf射頻下行帶寬(GHZ): 6 - 16收獲(dB):21收獲同軸度(dB):1的噪音常數(dB):1.8P-1dB讀取(dBm):17定購交貨期:3-4周所述CHA3666-FAB是兩極自偏置寬頻寬單面低噪音分貝圖像運放電路。
該線路利用標淮的pHEMT技術生產加工:柵極厚度0.25μm,憑借柔性板的通孔,氣流橋和電子元器件束柵幻影刻。
意見建議選取無鉛界面貼裝全封性金屬制陶瓷圖片6x6mm2芯片封裝。全局電為4V / 80mA。
該用電線路專用工具于太空站廣泛運用,也比較可以各式各樣微波加熱和直徑波廣泛運用和機系統。