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紅外光元電子器件封裝
CHA3514-99F由一個二級行波放大器和一個四級數字衰減器組成。專為國防應用而設計。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
該控制電路分為pHEMT工藝流程產生，柵極厚度為0.25μm，利用基材的通孔，氣體橋和電子無線束柵流星刻技術設備產生。
它以IC芯片形態可以提供。
首要特殊性■安全性能：6-18GHz■19dBm過剩傷害工作效率■13 dB增加收益■39.5dB新動態范圍圖的4位衰減器■直流電源耗電，190mA@4.5V■集成塊規格：5.54 x 2.30 x 0.1mm