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徽波元電子原件封裝
AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI系的一步分。HiFET有的是種地方適應的專利申請設施儀器調試，使用在高壓低壓、大工率和光纖寬帶APP。該機件的總設施儀器外面為12.8毫米（mm）。AM032MH4-BI-R專為高額定功率徽波應運而定制，事情的頻率將高達6GHz。BI產品運用特異設計構思的陶瓷圖片二極管封裝，打彎或直挺挺的引線和活套法蘭部運用添加圖片式裝行為。彩盒上端的活套法蘭部同時看作整流接地裝置極、頻射接地裝置極和熱緩沖區。一種HiFET貼合RoHS基準。
基本特征
28伏漏極偏壓
網絡帶寬要素連接：DC–2.4GHz
多達6GHz的高頻率操控
高增加收益：G=19dB@2GHz
高馬力：P1dB=35dBm@2.0GHz
高波形：IP3=50dBm@2.0GHz
有效率熱量散發的工業陶瓷進行包裝
用途
寬帶網選用
油田20至28V
手機無線本地人環交通網絡
PC移動信號塔
WLAN、中繼器和超虛擬局域網
C波長VSAT
航天電子器件通信系統